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應用液相沉積法成長氧化鋅奈米結構之製造方法 |
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 專利名稱 |
應用液相沉積法成長氧化鋅奈米結構之製造方法
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| 專利證書號 |
I385117
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| 專利權人 |
國立虎尾科技大學 |
| 專利國家 |
台灣, |
| 發明人 |
姬梁文,吳誠智,彭士銘,張天龍,施位勳 |
| 應用領域 |
材料與能源工程類 |
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專利商品特色：
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一種應用液相沉積法成長氧化鋅奈米結構之製造方法，是利用異質成核，以及之後在特定基板上的晶體成長，異質成核是在過飽合度低的過飽和溶液中發生的，並利用氧化鋅緩衝層解決介面接觸問題而形成同質成核反應，來進行成長出兼具品質與長寬比的氧化鋅單晶奈米柱，且易操控長度和單軸成長的一維氧化鋅奈米柱陣列。
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聯繫方式 |
| 聯絡人： 國立虎尾科技大學 產學合作處/智財組 王偉儒 |
 與我連絡 |
| 地址： 632雲林縣虎尾鎮文化路64號 |
電話： 05-631-5561 |
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