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P型氧化鋅薄膜製造方法及系統 |
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 專利名稱 |
P型氧化鋅薄膜製造方法及系統
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| 專利證書號 |
I319595
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| 專利權人 |
國立虎尾科技大學 |
| 專利國家 |
中華民國, |
| 發明人 |
劉代山,李清庭,許加昇,蔡富鈞 |
| 應用領域 |
光電與電子類 |
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專利商品特色：
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本發明係有關一種P型氧化鋅薄膜製造方法及系統，其主要是利用射頻磁控共濺鍍系統，藉以簡化製程，並以氧化鋅以及氮化鋁為共濺鍍靶材，藉由改變施加在氧化鋅及氮化鋁靶材之射頻功率，以製作並控制具有不同濃度的鋁+氮共摻雜之氧化鋅薄膜，以利氮原子在氧化鋅薄膜中的摻雜作用，並採用高溫製程或後續熱處理製程，藉以活化摻雜材料的原子成為較佳的受體或施體離子，進而可供製成具有不同電洞濃度之p型氧化鋅薄膜。
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聯繫方式 |
| 聯絡人： 國立虎尾科技大學 產學合作處/智財組 王偉儒 |
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電話： 05-631-5561 |
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