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利用量子雙障蔽準直器之電荷注入能量選取結構 |
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 專利名稱 |
利用量子雙障蔽準直器之電荷注入能量選取結構
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| 專利證書號 |
I241151
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| 專利權人 |
國立虎尾科技大學 |
| 專利國家 |
中華民國, |
| 發明人 |
廖重賓 |
| 應用領域 |
光電與電子類 |
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專利商品特色：
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本發明揭露一種可增加有機發光二極體(OLED)壽命之結構，其在有機發光二極體之結構中至少加入一層量子雙障蔽(quantum double-barrier；QDB)準直器(collimator)，以利用量子雙障蔽準直器之近乎週期性的魚骨狀穿隧(tunneling)之機率分布，以被動式之結構尺寸材料參數改變或主動式之電壓控制，來挑選出具有適當能量的入射電荷，讓有機發光二極體發光層內之入射電荷(電子與電洞)之數目平衡，以提昇有機發光二極體之壽命。
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| 相關圖片：
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聯繫方式 |
| 聯絡人： 國立虎尾科技大學 產學合作處/智財組 王偉儒 |
 與我連絡 |
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電話： 05-631-5561 |
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