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用以在矽晶片螺旋電感上產生極高電感值之方法 |
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 專利名稱 |
用以在矽晶片螺旋電感上產生極高電感值之方法
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| 專利證書號 |
I248622
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| 專利權人 |
國立虎尾科技大學 |
| 專利國家 |
中華民國, |
| 發明人 |
廖重賓 |
| 應用領域 |
光電與電子類 |
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專利商品特色：
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本發明揭露一種在矽晶片上產生極高電感值之方法，其在矽晶片上置入一連串具有不同自然共振頻率(natural resonance frequencies)的永久電雙極(permanent dipoles)，與矽晶片內建(on-chip)之螺旋電感上傳遞的電磁波共振，其利用不同自然共振頻率之永久電雙極與電磁波在不同頻率處產生近乎連續的爆炸性尖峰(explosive spectral peaks)頻率響應，將該螺旋電感之電感值由低頻到高頻大幅撐高，以產生具大電感值的螺旋電感，進而可以產生具一般電感值但佔面積很小的矽晶片內建(on-chip)螺旋電感。
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